La vorto "memoro flash" nun estas en buŝo de ĉiuj. La termino "flash drive" eĉ unua stud-jaro en la konversacio ofte uzita. Tiu teknologio kun nekredebla rapideco gajnis popularecon. Cetere, multaj analizistoj antaŭdiras ke en proksima estonteco la memoroj flash anstataŭigos stokado aparatoj bazitaj sur magnetaj diskoj. Kio restas nur observi la evoluo progreson kaj ĝiajn fruktojn. Surprize, multaj, parolante de ĉi tiu nova produkto, preskaŭ nekonsciaj ke tia memoro flash. Unuflanke, la uzanto bezonas la aparato funkciis, kaj kiel ĝi realigas liaj funkcioj - negrava aferojn. Tamen, havi almenaŭ bazan komprenon necesa al neniu klera homo.
Kio estas la memoroj flash?
Kiel vi scias, komputiloj havas plurajn tipojn de mekanismoj de stokado: moduloj de memoro, malmolaj diskoj kaj optikaj diskoj. La lastaj du - estas electro solvoj. Sed RAM - plene elektronika aparato. Estas kolekto de transistoroj sur peceto kunvenis speciala blato. Lia propreco kuŝas en tio, ke datumoj stokas tiel longe kiel la bazo elektrodo de ĉiu kontrolo ŝlosilo vigligita. Nuntempe ni poste prenas pli proksiman rigardon. Memoro flash estas sen tiu malfacilaĵo. ŝarĝi stokado problemon sen ekstera tensio solvitaj uzantaj flosanta pordego transistoroj. En la foresto de ekstera influo zorge en tia aparato povas esti tenis sufiĉe longa tempo (almenaŭ 10 jaroj). Por klarigi la principon de operacio, necesas memori la fundamentojn de elektroniko.
Kiel funkcias transistoro?
Ĉi tiuj elementoj iĝis tiel vaste uzata, ke ĝi estas malofta, kie ili ne estas uzataj. Eĉ banalan lumo ŝaltilon estas foje metita pelataj ŝlosilojn. Kiel la klasika transistoro aranĝis? Ĝi estas bazita sur du duonkonduktaĵo materialo, unu el kiuj havas elektronika konduktiveco (n), kaj la alia truo (p). Akiri simplan transistoro, necesas kombini materialoj, kiel ekzemple npn kaj ĉiu bloko kromprogramon elektrodo. Ĉe unu ekstrema elektrodo (emisor) tensio aplikiĝas. Ili povas esti kontrolitaj de ŝanĝi la grandon de la potencialo de la mezumo produktadon (bazo). Forigo okazas sur la kolektanto - la tria ekstrema kontakto. Estas preterlasas ke kun la malapero de la bazo tensio revenos al neŭtrala stato. Sed transistoro aparato kun flosanta pordego suba fleshek iomete malsama: la fronto de la semiconductor bazo materialo estas metita maldika tavolo de dielektriko kaj la flosanta pordego - kune ili formas tiel nomata "poŝo". Al la apliki la plus tensio al la bazo de la transistoro por esti malfermitaj de pasanta fluo kiu korespondas al logiko nul. Sed se la pordego meti ununura akuzo (elektrono), lia kampo neŭtrigas la efiko de bazo-konstruaĵo - la aparato rifuzos fermita (logika unuo). Per mezuri la tensio inter la emisor kaj la kolektanto povas determini la ĉeeston (aŭ foresto) de la ŝarĝo sur la flosanta pordego. Metante la ŝargo sur la pordego uzante la efekto tunelo (Fowler - Nordheim). Forigi la bezonon por fari la altan postenon (9) al negativa tensio kaj pozitivan bazo al emisor. La akuzo lasos la pordo. Ekde la teknologio estas konstante evoluanta, ĝi estis proponita por kombini la personigo kaj konvencia transistoro kun la flosanta pordego. Tiu permesis la "viŝi" ŝarĝi malaltan tension kaj produkti pli kompaktan aparaton (ne necesas izoli). USB Flash memoron uzas tiun principon (NAND Strukturo).
Tiel, kombinante ĉi tiuj transistoroj en la blokoj, ĝi eblis krei memoro en kiu la registrita datumoj estas teorie konservis sen ŝanĝo por jardekoj. Eble la sola malavantaĝo de moderna ekbrilo stiradoj - la nombro de registran cikloj limo.